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HIPIMS溅射技术 当前位置:主页 > 技术说明 > HIPIMS溅射技术

 
        1999年,瑞典Kouznetsov等首先开发采用高功率脉冲作为磁控溅射的供电模式,通过在普通磁控溅射Cu阴极上施加峰值功率达MW级的脉冲放电,获得了Cu离化率高达70%的等离子体,开辟了高功率脉冲磁控溅射技术的先河,此后其他研究者在HIPIMS技术放电机理、等离子体特性和各种涂层应用等方面做了大量工作。        
       
        HIPIMS是高功率脉冲磁控溅射技术
High power impulse magnetron sputtering的简称,其原理是利用较高的脉冲峰值功率和较低的脉冲占空比来产生高溅射金属离化率的一种磁控溅射技术,HIPIMS的峰值功率可以达到MW级别,但由于脉冲作用时间短,其平均功率与普通磁控溅射一样,这样阴极不会因过热赠增加靶材冷却。HIPIMS综合了磁控溅射低温沉积、表面光滑、无颗粒缺陷和电弧离子镀金属离化率高、膜层结合力强、涂层致密的优点,且离子束流不含大颗粒,在控制涂层微结构的同时获得优异的膜基结合力,在降低涂层内应力及提高膜层致密性、均匀性等方面具有闲着的优势,被认为是PVD发展史上近30年来最重要的一项技术突破,特别是在硬质涂层和功能涂层的应用方面有显著优势。


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